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dans «  Brèves technos  »,
07 juin 2017.

Première puce gravée en 5 nm

Première puce gravée en 5 nm

Nicolas Loubet d’IBM et une galette de puce 5 nm.

Nicolas Loubet d’IBM et une galette de puces 5 nm. © IBM.

IBM, travaillant avec Samsung et GlobalFoundries, a dévoilé la première puce de silicium au monde à être gravée en 5 nm. Au-delà des améliorations attendues en matière de puissance, de performance et d’amélioration de la densité du fait du passage à des transistors plus petits, la puce IBM est remarquable pour être l’une des premières à utiliser des transistors de type GAA (Gate-All-Around) et être la première application industrielle de la technique dite de lithographie par rayonnement ultraviolet extrême (EUV). IBM dit que, par rapport aux puces du commerce en 10 nm (vraisemblablement le procédé 10 nm de Samsung), la nouvelle technologie en 5 nm offre une augmentation de performance de 40 pour cent à consommation électrique égale, ou une baisse de 75 pour cent de la consommation pour une même performance.

Ars Technica, “IBM unveils world’s first 5nm chip.”

Développez.com, “IBM, Samsung et GlobalFoundries présentent la première puce gravée à 5 nm, grâce aux nouveaux transistors GAAFET.”

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